各種化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備都有一定的使用范圍。每種實(shí)驗(yàn)設(shè)備，根據(jù)它的用途不同，有著不同的使用要求。因此，在使用各種化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備前都應(yīng)該明確它的要求及這種要求的原因。
有的玻璃實(shí)驗(yàn)設(shè)備可以加熱用，如試管、燒杯、燒瓶、蒸發(fā)皿等；有的不能加熱，如量筒、集氣瓶、水槽等。有的實(shí)驗(yàn)設(shè)備可以做量具用。有的實(shí)驗(yàn)設(shè)備在實(shí)驗(yàn)裝置中起支撐作用。有些實(shí)驗(yàn)設(shè)備外觀很相似，容易混淆，應(yīng)該通過對比加以分辮?；瘜W(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備在做化學(xué)實(shí)驗(yàn)時經(jīng)常用到，學(xué)會正確使用這些實(shí)驗(yàn)設(shè)備的方法，是十分重要的。
單層過渡金屬硫化物（TMDS）二維晶體納米材料，如二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）等，由于其具備直接帶隙（Eg=1.8eV）的半導(dǎo)體特性，相比于石墨烯連續(xù)能帶分布，該類材料被廣泛應(yīng)用在納米電子學(xué)、光電子學(xué)方面。
目前，實(shí)現(xiàn)MoS2二維晶體的可靠制備方法，包括剝離法，水熱合成法，物理氣相沉積法和化學(xué)氣相沉積法。其中，化學(xué)氣相沉積法較為適合用于制備大面積、高質(zhì)量的連續(xù)MoS2薄膜，以滿足工業(yè)上基于MoS2二維晶體材料的大規(guī)模光電子設(shè)備的制造。因此，大面積、高質(zhì)量的MoS2單層薄膜的可控制備，仍然是業(yè)界十分重視的前沿研究問題。
過渡金屬硫化物可以在SiO2/Si襯底上制備。如果直接觀察襯底表面，入射光線經(jīng)SiO2上下表面反射后，其干涉現(xiàn)象將使生長在SiO2表面上的二維晶體樣品呈現(xiàn)不同的顏色襯度，因此可以采用直接觀察法來評估過渡金屬硫化物二維晶體樣品的大小。